2018-07-11
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तोशिबा ने बेहतर थर्मल प्रदर्शन के साथ लो रीवर्स-करंट स्खोट्टकी डायोड का विकास किया

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (9:30AM) 

Business Wire India

तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज एंड स्टोरेज कॉरपोरेशन (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation) “तोशिबा” ने एक नया स्खोट्टकी बैरियर डायोड “CUHS10F60” उत्पाद (उपकरण) तैयार किया है। यह उपकरण उन एपलीकेशंस को लक्ष्य कर पेश किया गया है जो पावर सप्लाई सर्किट में रेक्टिफिकेशन और बैकफ्लो के रोकथाम जैसे इस्तेमाल को लक्ष्य करता है। बड़े पैमाने पर उत्पादन और शिपमेंट आज से शुरू हो गया।
 
इस प्रेस विज्ञप्ति में मल्टी मीडिया है। पूरी विज्ञप्ति यहां देखें:https://www.businesswire.com/news/home/20180710005424/en/


Toshiba: A new Schottky barrier diode product "CUHS10F60" in a new US2H package. (Photo: Business Wire)

तोशिबा : एक नया स्खोट्टकी बैरियर डायोड उत्पाद "CUHS10F60" एक नए US2H पैकेज में है। (फोटो: बिजनेस वायर)
 
नए CUHS10F60 में 105°C/W[1] का नया निम्न थर्मल रेसिसटेंस है जो इसके नए विकसित US2H पैकेज में है जिसका पैकिंग कोड “SOD-323HE है।” इस पैकेज का थर्मल रेसिसटेंस परंपरागत यूएससी पैकेज की तुलना में करीब 50% तक कम हो गया है और इससे आसान थर्मल डिजाइन संभव होता है।
 
इस श्रृंखला के अन्य सदस्यों की तुलना में प्रदर्शन में और सुधार किए गए हैं। CUS04[2] स्खोट्टकी डायोड की तुलना में अधिकतम रीवर्स करंट को करीब 60% कम करके 40µA[3] कर दिया गया है।इससे जहां इसका उपयोग होता है वहां बिजली की कम खपत करने में योगदान मिलता है। इसके अलावा, इसका रीवर्स वोल्टेज भी 40 वोल्ट से 60 वोल्ट कर दिया गया है। इससे CUS10F40[4] की तुलना में इस्तेमाल की रेंज, जहां इसका उपयोग किया जा सकता है, का विस्तार होता है।
 
इस्तेमाल

पावर सप्लाई सर्किट (सुधार, बैकफ्लो रोकना आदि)

 
खासियतें

निम्न फॉर्वार्ड वोल्टेज: VF=0.56 V (typ.) @IF=1.0 A
लो रीवर्स करंट: IR=40 μA(max)@VR=60 V
स्मॉल सर्फेस माउंट पैकेज: उच्च घनत्व की माउंटिंग US2H(SOD-323HE) पैकेज से सुरक्षित की जाती है।

 
मुख्य विनिर्देशन
(@Ta=25°C)
 
पार्ट नंबर
 
 
ऐब्सोल्यूट मैक्सिमम
रेटिंग्स
 
विद्युतीय खासियतें
 
पैकज
 
रीवर्स वोल्टेज
VR
(V)
 
औसत
रेक्टिफायड
करंट
IO
(A)
 
फॉर्वार्ड वोल्टेज
VF
typ.
(V)
 
रीवर्स करंट
 
IR
अधि
@VR=60
V
(μA)
 
 
 
 
@IF=0.5
A
 
@IF=1
A
 
 
नाम
 
साइज
टाइप.
(mm)
CUHS10F60
 
60
 
1.0
 
0.46
 
0.56
 
40
 
US2H
(SOD-323HE)
 
2.5x1.4
 

 
नोट्स:
[1] एफआर4 बोर्ड पर माउंटेड (25.4मिमी × 25.4 मिमी × 1.6 मिमी, Cu Pad: 645 मिमी 2)
[2] ऐब्सोल्यूट मैक्सिमम रेटिंग्स: VRRM=60V, IF(AV)=0.7A
[3] टेस्ट कंडीशन: रीवर्स वोल्टेज VR=60V
[4] ऐब्सोल्यूट मैक्सिमम रेटिंग्स: VR=40V,IO=1.0A
 
ग्राहक पूछताछ:
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फोन : +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
 
* इस दस्तावेज में उत्पाद की कीमत, विनिर्देशन समेत सूचना, सेवाओं की सामग्री और संपर्क सूचना इस घोषणा की तारीख को करंट यानी चालू है पर बगैर किसी भी पूर्व सूचना के बदल सकती है। 
 
तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्टोरेज कॉर्पोरेशन के बारे में
 
तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन (टीडीएससी) में नई कंपनी के जोश और अनुभव की समझदारी का मेल है। जुलाई 2017 में तोशिबा कॉर्पोरेशन से अलग होने के बाद, हमने अग्रणी सामान्‍य उपकरण कंपनियों के बीच अपनी जगह बनाई है और अपने ग्राहकों तथा कारोबारी साझेदारों को भिन्‍न सेमीकंडक्‍टर्स, सिस्‍टम एलएसआईज और एचडीडी में बेहतरीन समाधान की पेशकश करते हैं।
 
दुनिया भर में हमारे 19,000 कर्मचारी हमारे उत्‍पादों का मूल्‍य बढ़ाने के लिए दृढ़ संकल्‍प को साझा करते हैं और मूल्‍य एवं नये बाजारों के सह-निर्माण को बढ़ावा देने के लिए ग्राहकों के साथ करीबी सहयोग पर जोर देते हैं। हम वार्षिक बिक्री को अब 700 बिलियन येन (6 बिलियन अमेरिकी डॉलर) पहुंचाने के लिए तत्‍पर हैं। हम हर कहीं लोगों के लिए बेहतर भविष्‍य में योगदान करेंगे।

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