2018-01-30
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तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज एंड स्टोरेज कॉरपोरेशन ने रीले ड्राइवर के लिए स्मॉल डुअल मोसफेट जारी किया

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (10:18PM) 

Business Wire India
तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज एंड स्टोरेज कॉरपोरेशन (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)  न आज एक नया मोसफेट “SSM6N357R,” पेश करने की घोषणा की। यह ड्रेन और गेट टर्मिनल्स के बीच बिल्ट इन डायोड के साथ है। यह उपकरण इंडक्टिव लोड्स जैसे मेकैनिकल रीले चलाने के लिए उपयुक्त है। बड़े पैमाने पर शिपमेंट की शुरुआत आज होगी I

इस प्रेस विज्ञप्ति में मल्टी मीडिया है। पूरी विज्ञप्ति यहां देखें: http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/ 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: "SSM6N357R," a small dual MOSFET for relay drivers. (Photo: Business Wire)
तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज एंड स्टोरेज कॉर्प : "SSM6N357R," एक छोटा डुअल मोसफेट  रीले ड्राइवर के लिए।(फोटो : बिजनेस वायर)

SSM6N357R में एक पुल डाउन रेसिसटर, एक सीरिज रेसिसटर और एक जेनर डायोड एकीकृत है जो पुर्जों की संख्या कम करता है और बोर्ड की जगह की बचत करता है।इसके अलावा, चूंकि यह एक डुअल टाइप पैकेज प्रोडक्ट (2 इन 1) है, इसमें माउंटिंग एरिया करीब 42% छोटा है जबकि विकल्प दो SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 मिमी) सिंगल टाइप पैकेज प्रोडक्ट का उपयोग करने का है।

उद्योग में मानक TSOP6F-क्लास पैकेज, 3.0 वोल्ट का निम्न ऑपरेटिंग वोलटेज और AEC-Q101 योग्यता SSM6N357R को ऑटोमोटिव और कई अन्य एपलीकेशन के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

इस्तेमाल रीले और सोलेनॉयड कंट्रोल ऑटोमोटिव एपलीकेशन के लिए रीले और सोलेनॉयड कंट्रोल औद्योगिक एपलीकेशन के लिए ओए उपकरण के लिए क्लच कंट्रोल खासियतें बोर्ड की जगह और पुर्जों (पुल-डाउन रेसिसटर, सीरिज रेसिसटर और जेनर डायोड एकीकृत) की संख्या कम है। 3.0 वोल्ट का निम्न परिचालन वोल्टेज डुअल पैकेज (2 इन 1) AEC-Q101 योग्य   मुख्य विनिर्देशन  (Ta=25°C) आयटम्स  खासियतें   ऐब्सोल्यूट मैक्सिम रेटिंग्स   ड्रेन-सोर्स वोल्टेज
VDSS (V)   60   गेट सोर्स वोल्टेज
VGSS (V)   ±12   ड्रेन करंट
ID (A)   0.65 इलेक्ट्रीकल खासियतें   ड्रेन-सोर्स ऑन रेसिसटेंस
RDS(ON) अधि (mΩ)   |VGS|=3.0V   2400     |VGS|=5.0V   1800   टोटल गेट चार्ज
Qg टाइप. (nC)   1.5   इनपुट कैपेसिटैंस
Ciss टाइप (pF)   43 पैकेज   TSOP6F   2.9मिमी×2.8मिमी; t=0.8मिमी   टीडीएससी के नवीनतम छोटे लो ऑन रेसिसटेंस के बारे में ज्यादा जानकारी के लिए इस लिंक को देखें.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html

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