2017-07-05
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तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन ने विश्‍व का पहला क्‍यूएलसी 3डी फ्लैश मेमोरी विकसित किया

Toshiba Memory Corporation (10:20AM) 

Business Wire India
मेमोरी सॉल्‍यूशंस विनिर्माण में अग्रणी कंपनी तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन (Toshiba Memory Corporation) ने आज इकट्ठे सेल ढांचे के साथ विश्‍व के पहले[1] बीआईसीएस फ्लैश™ तीन आयामी (3डी) फ्लैश मेमोरी[2] कार्ड विकसित करने की घोषणा की। नवीनतम बीआईसीएस फ्लैश™ डिवाइस 4-बिट-प्रति-सेल (क्‍वॉड्रपल लेवल सेल, क्‍यूएलसी) टेक्‍नोलॉजी देने वाला पहला डिवाइस है। इसकी एडवांसिंग क्षमता ट्रिपल लेवल सेल (टीएलसी) डिवाइसेज से अधिक है और यह फ्लैश मेमोरी प्रौद्योगिकी की सीमाओं का दायरा बढ़ा रही है।
 
इस स्‍मार्ट न्‍यूज विज्ञप्ति में मल्‍टीमीडिया है। पूरी विज्ञप्ति यहां देखें: http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/
QLC 3D Flash Memory (Photo: Business Wire)

क्‍यूएलसी 3डी फ्लैश मेमोरी (फोटो- बिजनेस वायर)
 
मल्‍टी-बिट सेल फ्लैश मेमोरीज, प्रत्‍येक मेमोरी सेल में इलेक्‍ट्रॉन्‍स के आंकड़ों का प्रबंधन कर डेटा एकत्रित करती है। क्‍यूएलसी टेक्‍नोलॉजी हासिल करने में कई तकनीकी चुनौतियों का सामना करना पड़ा क्‍योंकि उतने ही इलेक्‍ट्रॉन में प्रति बिट सेल की संख्‍या बढ़ाने के लिए टीएलसी टेक्‍नोलॉजी से दोगुनी सटीकता की आवश्‍यकता होती है। तोशिबा मेमोरी ने क्‍यूएलसी 3डी फ्लैश मेमोरी विकसित करने के लिए अपनी एडवांस्‍ड सर्किट डिजाइन क्षमता और उद्योग में अग्रणी 64 लेयर 3डी फ्लैश मेमोरी प्रोसेस टेक्‍नोलॉजी का इस्‍तेमाल किया है।
 
इसके प्रोटोटाइप में 64 लेयर 3डी फ्लैश मेमोरी प्रोसेस के साथ विश्‍व की सबसे बड़ी डाई क्षमता[3] (768 गीगाबिट्स/96 गीगाबाइट्स) भी मौजूद है। एसएसडी और एसएसडी कंट्रोलर विक्रेताओं के पास इस चिप के मूल्‍यांकन और विकास उद्देश्‍य के लिए प्रोटोटाइप की आपूर्ति जून की शुरूआत में ही शुरू कर दी गई थी।
 
क्‍यूएलसी 3डी फ्लैश मेमोरी से 16 डाई स्‍टैक्‍ड आर्किटेक्‍चर के साथ एक ही पैकेज में 1.5 टेराबाइट (टीबी) डिवाइस सक्षम बनाता है, जो उद्योग की सर्वाधिक क्षमता[4] है। इस ऐतिहासिक डिवाइस के कुछ नमूनों को 7 से 10 अगस्‍त तक अमेरिका के सैंटा क्‍लैरा, कैलिफोर्निया में होने वाले 2017 फ्लैश मेमोरी समिट में भी प्रदर्शित किया जाएगा।
 
तोशिबा मेमोरी पहले ही 64 लेयर 256 गीगाबिट (32 गीगाबाइट्स) डिवाइसेज का व्‍यापक स्‍तर पर उत्‍पादन करती है और जैसे जैसे यह व्‍यापक उत्‍पादन बढ़ाएगी वैसे ही यह एडवांसिंग टेक्‍नोलॉजी विकास में भी उद्योग में अपना शीर्ष स्‍थान बनाए रखेगी। हाई डेंसिटी (उच्‍च घनत्‍व), छोटे चिप आकार फ्लैश मेमोरी सॉल्‍यूशंस की बढ़ती मांग को पूरा करने के लिए नए क्‍यूएलसी डिवाइस एसएसडी, कंज्‍यूमर एसएसडी और मेमोरी कार्ड ऐप्लिकेशंस को लक्षित करता है।
 
नोट:

स्रोत: तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन, 28 जून 2017 तक।
एक सिलिकॉन सब्‍स्‍ट्रेट पर एक के ऊपर एक कर रखे गए फ्लैश मेमोरी सेल का ढांचा प्‍लेनर एनएएनडी फ्लैश मेमोरी से ज्‍यादा बेहतर घनत्‍व देता है, जहां सिलिकॉन सब्‍सट्रेट पर सेल बनाए जाते हैं।
स्रोत: तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन, 28 जून 2017 तक।
स्रोत: तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन, 28 जून 2017 तक।

 
यहां बताया गया कंपनी का नाम, उत्‍पादों का नाम और सेवाएं संबंधित कंपनियों के ट्रेडमार्क हैं।

 
स्रोत संस्‍करण बिजनेसवायर डॉट कॉम पर देखें:
http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/
मल्‍टीमीडिया उपलब्‍ध:
http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/

संपर्क:
तोशिबा मेमोरी कॉर्पोरेशन
कोटा यामाजी, +81-3-3457-3473
बिजनेस प्‍लानिंग डिवीजन
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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